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M50FLW080BNB5TG TR

M50FLW080BNB5TG TR

僅供參考

型號 M50FLW080BNB5TG TR
PNEDA編號 M50FLW080BNB5TG-TR
描述 IC FLASH 8M PARALLEL 32TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M50FLW080BNB5TG TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M50FLW080BNB5TG TR
類別半導體內存IC內存

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M50FLW080BNB5TG TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率33MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間250ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-20°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

96-FBGA (9x13)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QUAD

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-LFBGA (15x17)

IS61WV204816ALL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP I

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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