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M58LT256KST7ZA6F TR

M58LT256KST7ZA6F TR

僅供參考

型號 M58LT256KST7ZA6F TR
PNEDA編號 M58LT256KST7ZA6F-TR
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M58LT256KST7ZA6F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M58LT256KST7ZA6F TR
類別半導體內存IC內存
數據表
M58LT256KST7ZA6F TR, M58LT256KST7ZA6F TR數據表 (總頁數: 108, 大小: 1,988.1 KB)
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M58LT256KST7ZA6F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率52MHz
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-TBGA
供應商設備包裝64-TBGA (10x13)

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

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