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M58WR064EB70ZB6

M58WR064EB70ZB6

僅供參考

型號 M58WR064EB70ZB6
PNEDA編號 M58WR064EB70ZB6
描述 IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M58WR064EB70ZB6資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M58WR064EB70ZB6
類別半導體內存IC內存

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M58WR064EB70ZB6規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率66MHz
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.65V ~ 2.2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-VFBGA
供應商設備包裝56-VFBGA (7.7x9)

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Renesas Electronics America

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

CBRAM

內存大小

32kb (32B Page Size)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

100µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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