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M93C46-RDS6G

M93C46-RDS6G

僅供參考

型號 M93C46-RDS6G
PNEDA編號 M93C46-RDS6G
描述 IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8TSSOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M93C46-RDS6G資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M93C46-RDS6G
類別半導體內存IC內存
數據表
M93C46-RDS6G, M93C46-RDS6G數據表 (總頁數: 30, 大小: 484.84 KB)
PDFM93C56-RDS6TG數據表 封面
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M93C46-RDS6G規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (128 x 8, 64 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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