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M93C46-RDS6TG

M93C46-RDS6TG

僅供參考

型號 M93C46-RDS6TG
PNEDA編號 M93C46-RDS6TG
描述 IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8TSSOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M93C46-RDS6TG資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M93C46-RDS6TG
類別半導體內存IC內存
數據表
M93C46-RDS6TG, M93C46-RDS6TG數據表 (總頁數: 30, 大小: 484.84 KB)
PDFM93C56-RDS6TG數據表 封面
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M93C46-RDS6TG規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (128 x 8, 64 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

96ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (256K x 72)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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