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MBR1060G

MBR1060G

僅供參考

型號 MBR1060G
PNEDA編號 MBR1060G
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220-2
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,316
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR1060G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR1060G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR1060G, MBR1060G數據表 (總頁數: 4, 大小: 124.46 KB)
PDFMBR1060數據表 封面
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MBR1060G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 150V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 20V

電容@ Vr,F

58pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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