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MBR1100

MBR1100

僅供參考

型號 MBR1100
PNEDA編號 MBR1100
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIAL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR1100資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR1100
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR1100, MBR1100數據表 (總頁數: 4, 大小: 61.88 KB)
PDFMBR1100數據表 封面
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MBR1100規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果790mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝Axial
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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200V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 30V

電容@ Vr,F

70pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

24mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.29V @ 30A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 1600V

電容@ Vr,F

10pF @ 400V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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