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MBR12020CT

MBR12020CT

僅供參考

型號 MBR12020CT
PNEDA編號 MBR12020CT
描述 DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 5 - 一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR12020CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR12020CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR12020CT, MBR12020CT數據表 (總頁數: 3, 大小: 718.15 KB)
PDFMBR12035CT數據表 封面
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MBR12020CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)120A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 120A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 20V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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1 Pair Common Cathode

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

760mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

760mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 400A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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