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MBR12020CTR

MBR12020CTR

僅供參考

型號 MBR12020CTR
PNEDA編號 MBR12020CTR
描述 DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,968
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR12020CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR12020CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR12020CTR, MBR12020CTR數據表 (總頁數: 3, 大小: 718.15 KB)
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MBR12020CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)120A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 120A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 20V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 54A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

6µA @ 400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 35V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.41V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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