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MBR12060CTR

MBR12060CTR

僅供參考

型號 MBR12060CTR
PNEDA編號 MBR12060CTR
描述 DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR12060CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR12060CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR12060CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)120A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 20V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

6µA @ 110V

工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

安裝類型

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