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MBR1240MFST3G

MBR1240MFST3G

僅供參考

型號 MBR1240MFST3G
PNEDA編號 MBR1240MFST3G
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 12A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR1240MFST3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR1240MFST3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR1240MFST3G, MBR1240MFST3G數據表 (總頁數: 5, 大小: 79.04 KB)
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MBR1240MFST3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果680mV @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 40V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

30mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

370mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 30V

電容@ Vr,F

2.5pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 188A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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