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MBR1650

MBR1650

僅供參考

型號 MBR1650
PNEDA編號 MBR1650_36
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR1650資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR1650
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR1650, MBR1650數據表 (總頁數: 3, 大小: 80.12 KB)
PDFMBR1660數據表 封面
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MBR1650規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)16A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 16A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 50V
電容@ Vr,F450pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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Diodes Incorporated

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2A

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600mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

40pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerDI™ 323

供應商設備包裝

PowerDI™ 323

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

S1DL R3G

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Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

AS3PJHM3_A/I

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2.1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

37pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

350ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

電容@ Vr,F

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