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MBR20020CT

MBR20020CT

僅供參考

型號 MBR20020CT
PNEDA編號 MBR20020CT
描述 DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR20020CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR20020CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR20020CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

970mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 120V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 35V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

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