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MBR20020CTR

MBR20020CTR

僅供參考

型號 MBR20020CTR
PNEDA編號 MBR20020CTR
描述 DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR20020CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR20020CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR20020CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 75V

工作溫度-結點

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安裝類型

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5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

工作溫度-結點

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安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 12.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 35V

工作溫度-結點

-65°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

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二極管配置

1 Pair Series Connection

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

70mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

100ps

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

36A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 1600V

工作溫度-結點

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