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MBR20045CT

MBR20045CT

僅供參考

型號 MBR20045CT
PNEDA編號 MBR20045CT
描述 DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR20045CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR20045CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR20045CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

26ns

當前-反向泄漏@ Vr

6µA @ 200V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220AB

MBR40045CTS

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

2 Independent

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 36V

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

安裝類型

Screw Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

760mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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2 Independent

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

150nA @ 250V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550µA @ 30V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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