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MBR20H100CT-E3/4W

MBR20H100CT-E3/4W

僅供參考

型號 MBR20H100CT-E3/4W
PNEDA編號 MBR20H100CT-E3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY DUAL CC TO220
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR20H100CT-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR20H100CT-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR20H100CT-E3/4W, MBR20H100CT-E3/4W數據表 (總頁數: 5, 大小: 158.96 KB)
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MBR20H100CT-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果770mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr4.5µA @ 100V
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.27V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 1200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

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