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MBR20H100CTG-E3/4W

MBR20H100CTG-E3/4W

僅供參考

型號 MBR20H100CTG-E3/4W
PNEDA編號 MBR20H100CTG-E3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY DUAL CC TO220
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR20H100CTG-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR20H100CTG-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR20H100CTG-E3/4W, MBR20H100CTG-E3/4W數據表 (總頁數: 2, 大小: 329.4 KB)
PDFMBR20H100CTG-E3/4W數據表 封面
MBR20H100CTG-E3/4W數據表 頁面 2

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MBR20H100CTG-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果850mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3.5µA @ 100V
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

工作溫度-結點

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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速度

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反向恢復時間(trr)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

408ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

100ps

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

工作溫度-結點

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