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MBR2150VGTR-E1

MBR2150VGTR-E1

僅供參考

型號 MBR2150VGTR-E1
PNEDA編號 MBR2150VGTR-E1
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO15
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR2150VGTR-E1資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR2150VGTR-E1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR2150VGTR-E1, MBR2150VGTR-E1數據表 (總頁數: 8, 大小: 257.36 KB)
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MBR2150VGTR-E1規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果850mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 150V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AC, DO-15, Axial
供應商設備包裝DO-15
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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100V

電流-平均整流(Io)

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750mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

440pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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-

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