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MBR25100CT C0G

MBR25100CT C0G

僅供參考

型號 MBR25100CT C0G
PNEDA編號 MBR25100CT-C0G
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價
1 ---------- $6.5967
100 ---------- $6.2875
250 ---------- $5.9783
500 ---------- $5.6691
750 ---------- $5.4114
1,000 ---------- $5.1537
庫存 444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR25100CT C0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR25100CT C0G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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MBR25100CT C0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)25A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 25A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 100V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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400A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

125ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Three Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 600A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 1600V

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 30V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 200V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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