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MBR2H200SFT3G

MBR2H200SFT3G

僅供參考

型號 MBR2H200SFT3G
PNEDA編號 MBR2H200SFT3G
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FL
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $23.6137
100 ---------- $22.5068
250 ---------- $21.3999
500 ---------- $20.2930
750 ---------- $19.3706
1,000 ---------- $18.4482
庫存 26,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR2H200SFT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR2H200SFT3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR2H200SFT3G, MBR2H200SFT3G數據表 (總頁數: 6, 大小: 140.63 KB)
PDFMBR2H200SFT1G數據表 封面
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MBR2H200SFT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果940mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝SOD-123FL
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220AB

工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

BAT43WS-7-F

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-323

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 35V

電容@ Vr,F

400pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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