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MBR30030CT

MBR30030CT

僅供參考

型號 MBR30030CT
PNEDA編號 MBR30030CT
描述 DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR30030CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR30030CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR30030CT, MBR30030CT數據表 (總頁數: 3, 大小: 711.5 KB)
PDFMBR30020CT數據表 封面
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MBR30030CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 150A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr8mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 45V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

GeneSiC Semiconductor

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

15V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

110A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

380mV @ 110A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 15V

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

125mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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