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MBR30200PTHC0G

MBR30200PTHC0G

僅供參考

型號 MBR30200PTHC0G
PNEDA編號 MBR30200PTHC0G
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR30200PTHC0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR30200PTHC0G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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MBR30200PTHC0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 200V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (TO-3P)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

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