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MBR30H35PT-E3/45

MBR30H35PT-E3/45

僅供參考

型號 MBR30H35PT-E3/45
PNEDA編號 MBR30H35PT-E3-45
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR30H35PT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR30H35PT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR30H35PT-E3/45, MBR30H35PT-E3/45數據表 (總頁數: 4, 大小: 87.09 KB)
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MBR30H35PT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果730mV @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 35V
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 280V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 150V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

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8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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