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MBR30L45CT C0G

MBR30L45CT C0G

僅供參考

型號 MBR30L45CT C0G
PNEDA編號 MBR30L45CT-C0G
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR30L45CT C0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR30L45CT C0G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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MBR30L45CT C0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果550mV @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr400µA @ 45V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 45V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

工作溫度-結點

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安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 160V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

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