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MBR35100R

MBR35100R

僅供參考

型號 MBR35100R
PNEDA編號 MBR35100R
描述 DIODE SCHOTTKY REV 100V DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR35100R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR35100R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR35100R, MBR35100R數據表 (總頁數: 3, 大小: 794.16 KB)
PDFMBR3580R數據表 封面
MBR3580R數據表 頁面 2 MBR3580R數據表 頁面 3

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MBR35100R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 35A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1.5mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 880V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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970mV @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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