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MBR40040CTL

MBR40040CTL

僅供參考

型號 MBR40040CTL
PNEDA編號 MBR40040CTL
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 200A 2 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR40040CTL資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR40040CTL
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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MBR40040CTL規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果600mV @ 200A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 40V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 80V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1.6ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1200V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2000V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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