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MBR40080CT

MBR40080CT

僅供參考

型號 MBR40080CT
PNEDA編號 MBR40080CT
描述 DIODE MODULE 80V 400A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR40080CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR40080CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR40080CT, MBR40080CT數據表 (總頁數: 3, 大小: 676.47 KB)
PDFMBR40080CTR數據表 封面
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MBR40080CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)400A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 200A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

780mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 80V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 60V

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 170V

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 300V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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