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MBR50030CT

MBR50030CT

僅供參考

型號 MBR50030CT
PNEDA編號 MBR50030CT
描述 DIODE MODULE 30V 500A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR50030CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR50030CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR50030CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)500A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 250A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1600V

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二極管配置

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5mA @ 70V

工作溫度-結點

150°C (Max)

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

680mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 40V

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