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MBR50045CTR

MBR50045CTR

僅供參考

型號 MBR50045CTR
PNEDA編號 MBR50045CTR
描述 DIODE MODULE 45V 500A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR50045CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR50045CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR50045CTR, MBR50045CTR數據表 (總頁數: 3, 大小: 687.5 KB)
PDFMBR50080CTR數據表 封面
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MBR50045CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)500A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 250A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.43V @ 259A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 800V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

INT-A-Pak

供應商設備包裝

INT-A-PAK

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 300A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 150V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 35V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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