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MBR5H150VPB-E1

MBR5H150VPB-E1

僅供參考

型號 MBR5H150VPB-E1
PNEDA編號 MBR5H150VPB-E1
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR5H150VPB-E1資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR5H150VPB-E1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR5H150VPB-E1, MBR5H150VPB-E1數據表 (總頁數: 8, 大小: 417.18 KB)
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MBR5H150VPB-E1規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr8µA @ 150V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝DO-27
工作溫度-結點175°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

13ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

50pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 500mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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