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MBR600100CT

MBR600100CT

僅供參考

型號 MBR600100CT
PNEDA編號 MBR600100CT
描述 DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR600100CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR600100CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR600100CT, MBR600100CT數據表 (總頁數: 3, 大小: 716.87 KB)
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MBR600100CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.4mA @ 60V

工作溫度-結點

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 45V

工作溫度-結點

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安裝類型

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GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

TMBS®

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

120mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

100ps

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 30V

工作溫度-結點

150°C (Max)

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