MBR600200CT
僅供參考
| 型號 | MBR600200CT |
| PNEDA編號 | MBR600200CT |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 4,140 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸) |
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MBR600200CT資源
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MBR600200CT規格
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 系列 | - |
| 二極管配置 | 1 Pair Common Cathode |
| 二極管類型 | Schottky |
| 電壓-直流反向（Vr）（最大值） | 200V |
| 電流-平均整流（Io）（每個二極管） | 300A |
| 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 | 920mV @ 300A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 反向恢復時間（trr） | - |
| 當前-反向泄漏@ Vr | 3mA @ 200V |
| 工作溫度-結點 | -55°C ~ 150°C |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 包裝/箱 | Twin Tower |
| 供應商設備包裝 | Twin Tower |
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