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MBR60045CT

MBR60045CT

僅供參考

型號 MBR60045CT
PNEDA編號 MBR60045CT
描述 DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR60045CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR60045CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR60045CT, MBR60045CT數據表 (總頁數: 3, 大小: 716.87 KB)
PDFMBR60080CTR數據表 封面
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MBR60045CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 1000V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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