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MBR60045CTRL

MBR60045CTRL

僅供參考

型號 MBR60045CTRL
PNEDA編號 MBR60045CTRL
描述 DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR60045CTRL資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR60045CTRL
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR60045CTRL規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果600mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 45V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

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安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 240V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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