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MBR60100R

MBR60100R

僅供參考

型號 MBR60100R
PNEDA編號 MBR60100R
描述 DIODE SCHOTTKY REV 100V DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR60100R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR60100R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR60100R, MBR60100R數據表 (總頁數: 3, 大小: 802.04 KB)
PDFMBR6080R數據表 封面
MBR6080R數據表 頁面 2 MBR6080R數據表 頁面 3

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MBR60100R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)60A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 350V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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750mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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