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MBR6030

MBR6030

僅供參考

型號 MBR6030
PNEDA編號 MBR6030
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 60A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR6030資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR6030
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR6030, MBR6030數據表 (總頁數: 3, 大小: 802.22 KB)
PDFMBR6040R數據表 封面
MBR6040R數據表 頁面 2 MBR6040R數據表 頁面 3

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MBR6030規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)60A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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60V

電流-平均整流(Io)

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640mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 60V

電容@ Vr,F

1150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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470mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 40V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

350mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 15V

電容@ Vr,F

1120pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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