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MBR8035R

MBR8035R

僅供參考

型號 MBR8035R
PNEDA編號 MBR8035R
描述 DIODE SCHOTTKY REV 35V DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR8035R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR8035R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR8035R, MBR8035R數據表 (總頁數: 3, 大小: 648.65 KB)
PDFMBR8040R數據表 封面
MBR8040R數據表 頁面 2 MBR8040R數據表 頁面 3

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MBR8035R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)80A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 80A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 35V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 250V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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