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MBRB1060HE3_A/I

MBRB1060HE3_A/I

僅供參考

型號 MBRB1060HE3_A/I
PNEDA編號 MBRB1060HE3_A-I
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 2 - 一月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRB1060HE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRB1060HE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRB1060HE3_A/I, MBRB1060HE3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 148.64 KB)
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MBRB1060HE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 5A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 650V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 70V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 3200V

電容@ Vr,F

-

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