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MBRD660CT

MBRD660CT

僅供參考

型號 MBRD660CT
PNEDA編號 MBRD660CT
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRD660CT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRD660CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRD660CT, MBRD660CT數據表 (總頁數: 8, 大小: 209.62 KB)
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MBRD660CT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 60V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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300A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 300A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 450V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.41V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 30V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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