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MBRH120150

MBRH120150

僅供參考

型號 MBRH120150
PNEDA編號 MBRH120150
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 120A D-67
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRH120150資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRH120150
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRH120150, MBRH120150數據表 (總頁數: 3, 大小: 652.57 KB)
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MBRH120150規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)120A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 120A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 150V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-67
供應商設備包裝D-67
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

34pF @ 4V, 1MHz

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20µs

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1500V

電容@ Vr,F

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