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MBRH12030

MBRH12030

僅供參考

型號 MBRH12030
PNEDA編號 MBRH12030
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 120A D-67
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRH12030資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRH12030
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRH12030, MBRH12030數據表 (總頁數: 3, 大小: 645.69 KB)
PDFMBRH12035R數據表 封面
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MBRH12030規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)120A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 120A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr4mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-67
供應商設備包裝D-67
工作溫度-結點-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

800ps

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 30V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

85pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 45V

電容@ Vr,F

70pF @ 5V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

45mA @ 800V

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