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MBRH20020R

MBRH20020R

僅供參考

型號 MBRH20020R
PNEDA編號 MBRH20020R
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 200A D-67
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRH20020R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRH20020R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRH20020R, MBRH20020R數據表 (總頁數: 3, 大小: 662.3 KB)
PDFMBRH20040R數據表 封面
MBRH20040R數據表 頁面 2 MBRH20040R數據表 頁面 3

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MBRH20020R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)200A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 200A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-67
供應商設備包裝D-67
工作溫度-結點-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9.6ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

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