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MBRM130LT1G

MBRM130LT1G

僅供參考

型號 MBRM130LT1G
PNEDA編號 MBRM130LT1G
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERMITE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 307,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRM130LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRM130LT1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRM130LT1G, MBRM130LT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 174.9 KB)
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MBRM130LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果380mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr410µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-216AA
供應商設備包裝Powermite
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

SMA

工作溫度-結點

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制造商

Powerex Inc.

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 470A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-205AA, DO-8, Stud

供應商設備包裝

DO-205AA (DO-8)

工作溫度-結點

-65°C ~ 200°C

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

450mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

SMB

工作溫度-結點

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