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MBRT20020

MBRT20020

僅供參考

型號 MBRT20020
PNEDA編號 MBRT20020
描述 DIODE MODULE 20V 200A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT20020資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT20020
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT20020, MBRT20020數據表 (總頁數: 3, 大小: 788.88 KB)
PDFMBRT20030R數據表 封面
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MBRT20020規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.48V @ 200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 1200V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

670mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 45V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 120V

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16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 90V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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