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MBRT20080R

MBRT20080R

僅供參考

型號 MBRT20080R
PNEDA編號 MBRT20080R
描述 DIODE MODULE 80V 200A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT20080R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT20080R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT20080R, MBRT20080R數據表 (總頁數: 3, 大小: 752.64 KB)
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MBRT20080R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.48V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 200V

工作溫度-結點

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 120V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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