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MBRT500150R

MBRT500150R

僅供參考

型號 MBRT500150R
PNEDA編號 MBRT500150R
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT500150R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT500150R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT500150R, MBRT500150R數據表 (總頁數: 3, 大小: 793.08 KB)
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MBRT500150R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)250A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 250A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 150V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 90V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

870mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 135V

工作溫度-結點

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安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

125ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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工作溫度-結點

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