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MBRT50035R

MBRT50035R

僅供參考

型號 MBRT50035R
PNEDA編號 MBRT50035R
描述 DIODE MODULE 35V 500A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT50035R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT50035R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT50035R, MBRT50035R數據表 (總頁數: 3, 大小: 699.68 KB)
PDFMBRT50040R數據表 封面
MBRT50040R數據表 頁面 2 MBRT50040R數據表 頁面 3

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MBRT50035R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)500A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 250A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1300V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 10V

工作溫度-結點

125°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

24V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 24000V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

130A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 400A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 1800V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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