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MBRT60030L

MBRT60030L

僅供參考

型號 MBRT60030L
PNEDA編號 MBRT60030L
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT60030L資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT60030L
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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MBRT60030L規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果580mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 30V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

120µA @ 400V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 400A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

745mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 80V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

580mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

工作溫度-結點

200°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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