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MBRT60060R

MBRT60060R

僅供參考

型號 MBRT60060R
PNEDA編號 MBRT60060R
描述 DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT60060R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT60060R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT60060R, MBRT60060R數據表 (總頁數: 3, 大小: 685 KB)
PDFMBRT60080R數據表 封面
MBRT60080R數據表 頁面 2 MBRT60080R數據表 頁面 3

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MBRT60060R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)600A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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90A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 270A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

960mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 90V

工作溫度-結點

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