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MBT3906DW1T1

MBT3906DW1T1

僅供參考

型號 MBT3906DW1T1
PNEDA編號 MBT3906DW1T1
描述 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBT3906DW1T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBT3906DW1T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MBT3906DW1T1, MBT3906DW1T1數據表 (總頁數: 7, 大小: 285.4 KB)
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MBT3906DW1T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大150mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-78-6 Metal Can

供應商設備包裝

TO-78-6

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz, 250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Rohm Semiconductor

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

320MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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晶體管類型

4 PNP (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 10mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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